Indium　phosphide　(InP)　Quantum　dots　(QDs)　are　becoming　one　of　the　most　favorable　alternatives　of　cadmium　-based　QDs　in　view　of　their　heavy　metal-free　and　tunable　luminescence.　However,　the　photoluminescence　per-formances　of　InP　QDs　still　remain　to　be　improved　especially　for　the　aminophosphine　based　synthesis　method.　In　this　work,　we　present　a　one-pot　synthesis　route　of　InP/ZnS　red　QDs　based　on　tris(dimethylamino)phosphine　(DMP)　phosphorus　precursor　by　using　ZnF2　to　generate　HF　and　F　ions　in　situ　for　the　elimination　of　surface　oxidative　layer　of　InP　cores　and　the　passivation　of　indium　dangling　bonds.　The　synthesis　conditions　in　terms　of　ZnF2　concentration,　reaction　temperature　and　growth　time,　were　further　investigated　in　order　to　obtain　an　optimization　of　fluorescence　properties　of　InP　QDs.　It　is　found　that　the　PL　QY　of　both　InP　and　InP/ZnS　QDs　are　significantly　improved　by　the　ZnF2　additive.　The　PL　QY　of-16.4%,　FWHM　of　50　nm　for　pristine　InP　QDs　and　PL　QY　of-73%,　emission　peak　of　628　nm,　FWHM　of　55　nm　for　ZnS　shelled　InP　QDs　can　be　obtained　when　the　ratio　of　ZnF2　to　ZnCl2,　reaction　temperature　and　growth　time　are　1:1,　200　degrees　C　and　40　min,　respectively.　Compared　with　the　InP/ZnS　QDs　synthesized　without　ZnF2　treatment　(55%　PL　QY,　611　nm　emission　peak,　62　nm　FWHM),　the　PL　QY　is　increased　by　32.7%.