胶体量子点材料因其优良的窄发射光谱、可调发射波长、高发光效率和优异的稳定性而被广泛研究，且同时具有溶液可加工性使得量子点发光二极管（Quantum　dot　light-emitting　diode,　QLED）具有广泛的适用性和应用。然而，器件自身存在的基底模式导致QLED器件大量光子被限制在内部无法利用。本文基于纳米压印工艺同时利用聚二甲基硅氧烷（Polydimethylsiloxane,PDMS）材料本身的表面结合能开发出溶剂自浸润式纳米压印工艺，对压力依赖度低的同时简化了工艺流程，制备出高质量周期性的1.3,1,0.5μm三种尺寸的微纳结构图案层，对红、绿、蓝三色QLED器件进行耦合实现光提取。在这种情况下，1.3μm微纳结构耦合绿光QLED器件亮度达到715　069　cd·m~(-2)，最大外量子效率（External　quantum　efficiency,EQE）和电流效率分别提升至12.5%和57.3　cd·A~(-1);1μm尺寸耦合的蓝光QLED器件各电学性能提升接近200%;0.5μm尺寸耦合红光QLED器件EQE也从17.3%提升至20.5%。并通过角分布测试，证明微纳结构不会对QLED器件发光强度造成影响，仍然接近朗伯体发射。本工作提出的溶剂自浸润式纳米压印工艺及QLED光提取方法，为QLED的性能提升提供了一条简单有效的途径。