Abstract：
纳米LED有望应用于超高分辨率微型显示器件,减小纳米LED的出光角度对于降低相邻像素的光串扰具有重要意义.为了获得较小出光角度的氮化镓基纳米LED,本文采用有限元方法,研究了纳米LED形状、量子阱中氮化镓厚度,以及包裹电介质层对其远场辐射强度和出光角度的影响.仿真结果显示,柱形纳米LED结构可以实现约57°的垂直出光角度;通过调整量子阱中氮化镓的厚度为3 nm,在不影响远场强度的情况下可以进一步将垂直出光角度降低至52°.此外,在纳米LED外围包裹折射率为1.5、宽度为200～300 nm的电介质层,可以有效抑制纳米柱侧面出光,使远场强度提升40%.本研究为氮化镓基纳米LED的设计和优化提供了仿真实验支持,有望推动基于纳米LED的超高分辨率显示技术的发展.
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光学学报
ISSN： 0253-2239
Year： 2024
Issue： 22
Volume： 44
Page： 170-178
1 . 6 0 0
JCR@2023
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