Three-dimensional　(3D)　topological　insulators　(TIs)　have　attracted　much　attention　due　to　their　topologically　protected　surface　states.　Here,　we　use　circularly　polarized　light　to　induce　the　photo-induced　anomalous　Hall　effect　(PAHE)　in　3D　TIs　Sb2Te3　thin　films　with　different　thicknesses　of　5,　7,　12　and　20　quintuple　layers　(QLs)　at　room　temperature.　The　dependence　of　PAHE　current　on　the　light　spot　locations　of　Sb2Te3　thin　films　is　investigated,　which　is　found　to　show　a　completely　different　behavior　from　that　observed　in　two-dimensional　electron　gas　(2DEG)　systems.　This　is　due　to　the　fact　that　the　total　PAHE　current　is　the　superposition　of　the　PAHE　of　the　top　and　bottom　surface　states.　A　theoretical　model　has　been　proposed　to　separate　the　PAHE　current　of　the　top　and　bottom　surface　states.　In　addition,　as　the　thickness　of　the　Sb2Te3　film　increases　from　5　QL　to　20　QL,　the　PAHE　currents　of　the　top　and　bottom　surface　states　first　increase　and　then　decrease.　The　photo-induced　anomalous　Hall,　conductivity　of　the　top　surface　states　in　the　7-QL　Sb2Te3　film　excited　by　1064　nm　light　is　as　large　as　592　nA　&　BULL;　V-1　&　BULL;　cm　&　BULL;　W-1,　which　is　much　larger　than　that　observed　in　InGaAs/AlGaAs　quantum　wells　(4.45　nA　&　BULL;　V-1　&　BULL;　cm　&　BULL;　W-1)　and　GaN/AlGaN　heterostructures　(1.43　nA　&　BULL;　V-1　&　BULL;　cm　&　BULL;　W-1).　The　giant　PAHE　value　observed　in　Sb2Te3　films　suggests　that　3D　TIs　may　provide　a　good　platform　for　spintronic　devices.