The　photoinduced　inverse　spin　Hall　effect　(PISHE)　has　been　studied　in　three　dimensional　(3D)　topological　insulator　(TI)　Bi2Te3　thin　films　with　different　thicknesses　(3,　5,　12　and　20　quintuple　layer　(QL)).　The　sign　of　the　PISHE　current　flips　only　once　in　the　3-　and　20-QL　Bi2Te3　films,　but　it　flips　three　times　in　the　5-,　7-　and　12-QL　samples.　The　three-times　sign　flip　is　due　to　the　superposition　of　the　PISHE　current　of　the　top　and　bottom　surface　states　in　Bi2Te3　films.　By　analyzing　the　x-ray　photoelectron　spectroscopy　(XPS)　of　the　Bi2Te3　films,　we　find　that　the　top　surface　of　the　3-　and　20-QL　Bi2Te3　films　are　severely　oxidized,　leading　to　only　one　sign　flip　in　the　PISHE.　The　PISHE　contributed　by　the　top　and　bottom　surface　states　in　Bi2Te3　films　have　been　successfully　separated　by　fitting　a　theoretical　model　to　the　PISHE　current.　The　impact　of　the　bulk　states　on　PISHE　current　has　been　determined.　The　PISHE　current　is　also　measured　at　different　light　powers,　and　all　the　measurement　results　are　in　good　agreement　with　the　theoretical　model.　In　addition,　it　is　found　that　the　PISHE　current　in　Bi2Te3　films　grown　on　Si　substrate　is　more　than　two　orders　larger　than　that　grown　on　SrTiO3　substrates,　which　can　be　attributed　to　the　larger　absorption　coefficient　for　Bi2Te3/Si　samples.　It　is　revealed　that　the　PISHE　current　in　3D　TI　Bi2Te3　is　as　large　as　140　nA/W　in　the　3-QL　Bi2Te3　film　grown　on　Si　substrate,　which　is　more　than　one　order　larger　than　that　reported　in　GaAs/AlGaAs　heterojunction　(about　2　nA/W)　and　GaN/AIGaN　heterojunction　(about　1.7　nA/W).　The　giant　PISHE　current　demonstrates　that　the　Tls　with　strong　SOC　may　have　good　application　prospects　in　spintronic　devices　with　high　spin-to-charge　conversion　efficiency.　(C)　2022　Optica　Publishing　Group　under　the　terms　of　the　Optica　Open　Access　Publishing　Agreement