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磷化铟(InP)量子点(QDs)由于其不含重金属元素和出色的光电特性，在量子点发光二极管(QLED)领域引起了广泛关注。本文以ZnSe和ZnS作为壳层来制备绿色InP/ZnSe/ZnS QDs,通过调控ZnSe壳层的厚度得到不同发光性能的QDs。当Se粉与Zn(St)_2的质量比为1∶15时，InP/ZnSe/ZnS QDs的荧光发射峰为522 nm,半峰宽为45 nm,荧光量子效率高达86%。同时制备了基于不同ZnSe壳层厚度的QLED,并利用真空蒸发的方式去除QDs薄膜中残留的有机溶剂，避免了高温退火对QDs性能的破坏，最终得到稳定工作QLED器件，其最佳外量子效率为2.2%。
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发光学报
ISSN： 1000-7032
CN： 22-1116/O4
Year： 2022
Issue： 04
Volume： 43
Page： 501-508
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