Indexed by：
Abstract：
磷化铟(InP)量子点(QDs)由于其不含重金属元素和出色的光电特性,在量子点发光二极管(QLED)领域引起了广泛关注.本文以ZnSe和ZnS作为壳层来制备绿色InP/ZnSe/ZnS QDs,通过调控ZnSe壳层的厚度得到不同发光性能的QDs.当Se粉与Zn(St)2的质量比为1:15时,InP/ZnSe/ZnS QDs的荧光发射峰为522 nm,半峰宽为45 nm,荧光量子效率高达86％.同时制备了基于不同ZnSe壳层厚度的QLED,并利用真空蒸发的方式去除QDs薄膜中残留的有机溶剂,避免了高温退火对QDs性能的破坏,最终得到稳定工作QLED器件,其最佳外量子效率为2.2％.
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Source ：
发光学报
ISSN： 1000-7032
Year： 2022
Issue： 4
Volume： 43
Page： 501-508
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： -1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 10
Affiliated Colleges：
