Flexible　antiferroelectric　(AFE)　thin　film　capacitors　are　important　for　foldable　and　wearable　electronics.　This　work　demonstrates　a　direct　epitaxial　lift-off　method　to　fabricate　flexible　epitaxial　AFE　thin　film　capacitors　using　(Pb-0.98,La-0.02)(Zr-0.95,Ti-0.05)O-3　(PLZT)　as　an　example.　The　flexible　PLZT　thin　film　showed　the　tetragonal　structure　with　coexisting　ferroelectricity　and　antiferroelectricity.　An　energy　storage　density　(ESD)　of　2.6　J/cm(3)　with　an　efficiency　of　73%　was　obtained　at　the　low　electric　field,　and　a　high　ESD　of　22　J/cm(3)　with　an　efficiency　of　33%　was　achieved　at　the　high　electric　field.　Such　energy　storage　performances　could　be　maintained　after　10(3)　bending　cycles　and　105　charging/discharging　cycles.　This　simple　method　can　be　used　to　compose　flexible　epitaxial　thin　film　capacitors　and　even　other　flexible　thin　film　devices.