Flexible　antiferroelectric　(AFE)　thin　film　capacitors　are　important　for　foldable　and　wearable　electronics.　This　work　demonstrates　a　direct　epitaxial　lift-off　method　to　fabricate　flexible　epitaxial　AFE　thin　film　capacitors　using　(Pb0.98,La0.02)(Zr0.95,Ti0.05)O3　(PLZT)　as　an　example.　The　flexible　PLZT　thin　film　showed　the　tetragonal　structure　with　coexisting　ferroelectricity　and　antiferroelectricity.　An　energy　storage　density　(ESD)　of　2.6　J/cm3　with　an　efficiency　of　73%　was　obtained　at　the　low　electric　field,　and　a　high　ESD　of　22　J/cm3　with　an　efficiency　of　33%　was　achieved　at　the　high　electric　field.　Such　energy　storage　performances　could　be　maintained　after　103　bending　cycles　and　105　charging/discharging　cycles.　This　simple　method　can　be　used　to　compose　flexible　epitaxial　thin　film　capacitors　and　even　other　flexible　thin　film　devices.　©　2022