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本发明公开了一种基于接触印刷转移的表面传导场发射电子源的制作方法，包括以下步骤：第一步，制作场发射电子源电极；第二步，制备用于接触印刷表面传导场发射电子源的硅橡胶模板；第三步，在硅橡胶模板上制作场发射电子源薄膜，硅橡胶模板吸附有机气体膨胀，产生几纳米到几十纳米宽的裂痕；第四步，在制作场发射电子源电极的平面绝缘基板上自组装一层(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷偶联剂；第五步，把第四部制成的具有裂痕的场发射电子发射源薄膜接触印刷在第五步形成的场发射电子源电极上，最终制成表面传导场发射电子源。其中，场发射电子源电极的制备也可以放在最后完成。该场发射电子源制作方法简单，又可有效避免场发射电子源的破坏和污染。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201210117860.4
Filing Date： 2012/4/21
Publication Date： 2014/11/5
Pub. No.： CN102623278B
公开国别： CN
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
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