Abstract：
存内计算技术是解决传统冯·诺伊曼计算架构面临瓶颈的最有效的技术路径之一.基于自旋转移矩-磁随机存储器(STT-MRAM)的存内计算方案尽管具有非易失性、低功耗、高耐久性等优势，但却因其较小的感测裕度对灵敏放大器(SA)设计的读可靠性提出了挑战.尽管基于两个晶体管和两个磁隧道结(2T2MTJ)单元的存内计算方案能有效提升读感测裕度与位运算正确率，存储阵列的面积却成倍增加.本文针对1T1MTJ单元，提出一种高可靠性、多位并行读出存内计算方案，采用了三组参考单元支路结构，结合改进型多位电流型灵敏放大器(MBCSA)进行支路电流运算.结合MTJ紧凑模型与SMIC 40nm工艺的仿真结果表明，在典型条件...
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微电子学与计算机
ISSN： 1000-7180
CN： 61-1123/TN
Year： 2022
Issue： 08
Volume： 39
Page： 119-126
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