Indexed by：
Abstract：
基于1T1MTJ的自旋转移矩-磁随机存储器(STT-MRAM)提出了一种改进型存内位逻辑计算方案.该方案通过精简2T2MTJ存内位逻辑运算方案提升了存储阵列密度,通过互补型读出电路增加了“与非”和“或非”的运算功能.此外,还通过增加支路电压稳定电路的方法,提出了一种适用于上述方案的改进型高速灵敏放大器.基于中芯国际55 nm LL逻辑工艺的仿真结果表明,相较于传统的灵敏放大器,该方案不仅读取速度提升了33％,在适配大型存储阵列(CB≥0.8 pF)时还拥有更强的读取能力与更优的功率积(PDP).
Keyword：
Reprint 's Address：
Version：
Source ：
电子技术应用
ISSN： 0258-7998
CN： 11-2305/TN
Year： 2020
Issue： 6
Volume： 46
Page： 40-44,50
Affiliated Colleges：
