受隧道磁阻比(Tunnel　Magneto　Resistance,TMR)下降、工艺偏差和热波动等因素影响,先进工艺节点(亚25　nm)下的自旋转移力矩磁随机存储器(Spin　Transfer　Torque　Magnetoresistive　Random　Access　Memory,STT-MRAM)的读取裕度降低,读写正确率下降.纠错码(Error　Correction　Codes,ECC)技术方案能有效提升STT-MRAM读取可靠性.但是,常见的一位硬判决量化器无法发挥多位量化软判决ECC编解码算法的优势,而基于模数转换器的软判决量化器在实现上又要以牺牲面积和功耗为代价.提出的面向STT-MRAM的两位量化器采用全裕度灵敏放大器(Sensitive　Amplifier,SA)和电阻量化判决门限,显著降低了量化器的电路复杂度和读写错误率.结果表明,在TMR和低读取裕度条件下,基于提出的两位量化器和极化码(Polar)编码的ECC算法能实现优于基于一位量化器的里德.索洛蒙博斯-乔赫里-霍克文黑姆码(Bose,Chaudhuri　&　Hocquenghem,BCH)编解码方案的输出帧错误率(Frame　Error　Rate,FER).此外,本文提出在STT-MRAM级联信道模型中考虑实际SA引入的读判据错误,用于准确评估读取裕度对读正确率造成的影响.结果表明,基于全裕度SA的两位电阻量化方案能够显著提升判决器的有效读取裕度,减小SA引入的读判据错误,在TMR≤90％时,实现比采用一位硬判决量化器的BCH码平均低47％的输出FER.