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本发明公开了一种基于量子点膜层导电沟道的场效应管的制备方法，利用先进的量子点组装技术，在硅/二氧化硅衬底上，组装出单层CdSe量子点阵列膜层作为场效应管的导电沟道，随后通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在单层CdSe量子点阵列膜层及其衬底硅上分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极、漏极和栅极，随后，通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于量子点膜层导电沟道的场效应管。本发明制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，所制备的晶体管具有特殊量子点阵列膜层导电沟道，可充分利用量子点阵列膜层的量子尺寸效应，从而有效提高了晶体管的灵敏度，因此，在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201410297058.7
Filing Date： 2014/6/28
Publication Date： 2016/9/7
Pub. No.： CN104051275B
公开国别： CN
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
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