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本发明公开一种用于锂离子电池的碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列的制备方法，以通孔AAO为模板，采用CVD、水热、热处理等制备出碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列三维结构膜层材料。本发明可有效地解决锡基材料因体积膨胀而导致循环稳定性差的问题，为该新型复合材料实用化奠定技术基础。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201110177982.8
Filing Date： 2011/6/29
Publication Date： 2013/10/30
Pub. No.： CN102263244B
公开国别： CN
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
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