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采用旋涂技术、光刻技术、蒸发镀膜技术制备以图形化石墨烯∶聚合物复合薄膜为活性层,具有氧化铟锡/石墨烯∶聚合物/铝交叉型夹层结构的阻变器件。采用光刻胶为有机基体,实现阻变层的可图形化;通过优化石墨烯浓度,获得具有优良性能的可擦写非易失性阻变存储器件,讨论其阻变机制。实验表明,当石墨烯浓度为0.01%(质量分数)时,器件具有最佳的阻变特性,其开关比达8.9×103,且表现出良好的数据维持能力。
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功能材料
ISSN： 1001-9731
CN： 50-1099/TH
Year： 2015
Issue： 07
Volume： 46
Page： 7014-7018
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