Indexed by：
Abstract：
采用热蒸发法制备Sn掺杂(＜1%(原子比))四针状ZnO(T-SZO)纳米结构,通过优化生长时间,获得不同形貌TSZO纳米结构,并对其结构和场发射性能进行了研究。结果表明,T-SZO的形貌随生长时间不同有显著变化,继而影响其场发射特性。生长时间为5 min的样品表现大的长径比(长径比为25),其开启场强、阈值场强和场增强因子分别为1.81,3.0 V/μm和6770,表现出良好的场发射性能。
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Version：
Source ：
真空科学与技术学报
ISSN： 1672-7126
CN： 11-5177/TB
Year： 2016
Issue： 06
Volume： 36
Page： 638-642
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 4
Affiliated Colleges：
