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本文采用动态循环观察法测量了RHSe晶体在水溶液中不同过饱和度下主要显露晶面的生长速率.结果表明,RHSe晶体主要显露晶面的生长机制是多二维成核生长机制,在饱和点为38.00℃的溶液中,RHSe晶体的{111}和{101}晶面的临界过饱和度分别为1.01%和1.16%.实验过程中还发现,当过饱和度大于1.76%时,晶体生长速率太快而出现宏观缺陷,因而在生长RHSe单晶时,过饱和度应控制在1.76%以下.
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人工晶体学报
ISSN： 1000-985X
CN： 11-2637/O7
Year： 2001
Issue： 4
Volume： 30
Page： 358-363
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