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本文采用动态循环观察法测量了RHSe晶体在水溶液中不同过饱和度下主要显露晶面的生长速率。结果表明 ,RHSe晶体主要显露晶面的生长机制是多二维成核生长机制 ,在饱和点为38.0 0℃的溶液中 ,RHSe晶体的 { 111}和 { 10 1}晶面的临界过饱和度分别为 1.0 1%和 1.16 %。实验过程中还发现 ,当过饱和度大于 1.76 %时 ,晶体生长速率太快而出现宏观缺陷 ,因而在生长RHSe单晶时 ,过饱和度应控制在 1.76 %以下
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人工晶体学报
Year： 2001
Issue： 04
Page： 358-363
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