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异质结光敏晶体管(HPT)是一种具有内部电流增益的光电探测器,且与异质结双极晶体管(HBT)的制作工艺完全兼容.利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)方法在HBT晶体管的基区和集电区间加入多层Ge量子点材料作为光吸收区.TEM和DCXRD测试结果表明,生长的多层Ge量子点材料具有良好的晶体质量.为了提高HPT的发射极注入效率,采用高掺杂多晶硅作为发射极,并制作出两端HPT型Ge量子点探测器.室温条件下的测试结果表明,HPT型量子点探测器具有低的暗电流密度和高的反向击穿电压.-8V偏压下,HPT型量子点探测器在1.31μm和1.55μm处的响应度分别为4.47mA/W和0.11mA/W.与纵向PIN结构量子点探测器相比,HPT型量子点探测器在1.31μm 和1.55 μm处的响应度分别提高了104倍和78倍.
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红外与激光工程
ISSN： 1007-2276
CN： 12-1261/TN
Year： 2011
Issue： 5
Volume： 40
Page： 791-794
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