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使用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备在Si衬底上生长多层Ge量子点,用双晶X射线衍射(DCXRD)、拉曼光谱(Raman)等手段表征在不同条件下快速热退火的Ge量子点材料的组分、应力等特性,研究了快速热退火对多层Ge量子点晶体质量的影响.结果表明:随着退火温度的升高,量子点中Ge的组分下降,量子点应变的弛豫程度加剧.在1000℃退火20 s后,量子点材料已经完全弛豫.
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材料研究学报
ISSN： 1005-3093
CN： 21-1328/TG
Year： 2011
Issue： 3
Volume： 25
Page： 259-262
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