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[期刊论文]

自组织生长Ge量子点材料研究

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author:

魏榕山 (魏榕山.) [1] (Scholars:魏榕山) | 何明华 (何明华.) [2]

Indexed by:

CQVIP PKU CSCD

Abstract:

利用超高真空化学气相淀积设备在Si衬底上生长Ge量子点.通过3因素3水平的正交实验,研究不同的生长参数(衬底温度、GeH4气体流量、生长时间)对Ge量子点生长的影响,从而得到优化的Ge量子点生长参数.透射电镜、X射线双晶衍射测试结果表明,利用优化的生长参数得到的多层Ge量子点材料,具有较好的晶体质量.

Keyword:

Ge量子点 Si衬底 化学气相淀积 正交实验 超高真空

Community:

  • [ 1 ] [魏榕山]福州大学
  • [ 2 ] [何明华]福州大学

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Source :

福州大学学报(自然科学版)

ISSN: 1000-2243

CN: 35-1337/N

Year: 2011

Issue: 3

Volume: 39

Page: 395-398,403

Cited Count:

WoS CC Cited Count:

30 Days PV: 1

Online/Total:46/10135028
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