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基于MOSFET亚阈值的特性,通过两个MOSFET阈值电压差与热电压VT相互补偿的原理,提出了一种全CMOS基准电压源电路.与传统带隙基准电路相比,该电路采用全CMOS器件,无需电阻和传统分立电容,具有电路结构简单、功耗低、温度系数小和面积小的特点.通过对电路的理论分析,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺模型,利用Cadence工具对电路进行仿真验证,在电源电压为1.8V的条件下,输出电压为364.3 mV(T=27℃),温度系数为6.7 ppm/℃(-40 c℃～+125℃),电源抑制比达到-68 dB@10 kHz,功耗为1.3 μW.
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电子技术应用
ISSN： 0258-7998
CN： 11-2305/TN
Year： 2014
Issue： 5
Volume： 40
Page： 42-44,48
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