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基于亚阈值区MOSFET器件栅源电压的负温度特性,以及两MOSFET串联中间结点电压的正温度特性,设计了一个新型基准电压源.与传统带隙基准电压源相比,该电路采用全CMOS器件,无电阻,具有功耗低、面积小的特点.另外,设计了一个高电源抑制比、低温漂的电流源为基准电压源提供偏置.对电路进行了理论分析和优化设计,采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺,在各工艺角下对电路进行仿真.仿真结果显示,该基准电源的输出电压为700mV左右,温漂系数约为8×105/℃,电源电压可低至1.2V,电源抑制比达到-62 dB@100 Hz,功耗仅为1.5μW.
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微电子学
ISSN： 1004-3365
CN： 50-1090/TN
Year： 2013
Issue： 6
Volume： 43
Page： 742-746
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