Indexed by：
Abstract：
基于MOSFET亚阈值的特性,通过两个MOSFET闽值电压差与热电压VT相互补偿的原理,提出了一种全CMOS基准电压源电路。与传统带隙基准电路相比,该电路采用全CMOS器件,无需电阻和传统分立电容,具有电路结构简单、功耗低、温度系数小和面积小的特点。通过对电路的理论分析,采用SMIC0.18μmCMOS工艺模型,利用Cadence工具对电路进行仿真验证,在电源电压为1.8V的条件下,输出电压为364.3mV(T=27℃),温度系数为6.7ppm/℃(-40℃~-+125℃),电源抑制比达到-68dB@10kHZ,功耗为1.3μW。
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Source ：
电子技术应用
ISSN： 0258-7998
Year： 2014
Issue： 5
Volume： 40
Page： 42-44
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count： -1
30 Days PV： 1
Affiliated Colleges：
