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基于密度泛函理论采用第一性原理对Ti8O16 、Ti8O15和Ti8O14三种晶体结构进行电子结构的模拟计算.通过模拟结果的分析推断氧空位的作用:氧空位含量较少时,起捕获电子的作用;氧空位含量较多时,起构成导电细丝的作用;可得出TiO2阻变机理受导电细丝理论和空间电流限制电荷效应控制的推论.参考模拟计算的结果,通过选择不同的反应磁控溅射镀膜工艺,控制薄膜钛氧比进而改变氧空位含量,可获得低阻态受氧空位导电细丝控制的阻变介质层.采用反应磁控溅射法制备以TiO2薄膜为阻变层的阻变元件并研究其阻变机理,需要大量的实验以优化镀膜工艺参数,而采用计算模拟的方法探讨阻变机理则可以节约材料和时间成本.
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真空
ISSN： 1002-0322
CN： 21-1174/TB
Year： 2015
Issue： 1
Volume： 52
Page： 9-12
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