Tin　sulfide　(SnS)　thin　films　were　deposited　onto　indium　tin　oxide　(ITO)　glass　substrates　by　cathodic　electro-deposition　from　aqueous　solution　containing　ethylene　diamine　tetraacetate　acid　(EDTA).　Because　EDTA　can　slow　the　deposition　rate　of　Sn　through　formation　of　Sn　chelates,　it　is　possible　to　obtain　stoichiometric　SnS　films　with　good　quality　by　adding　EDTA　to　the　deposition　bath.　The　deposited　films　were　characterized　with　X-ray　diffraction　(XRD),　atomic　force　microscopy　(AFM),　X-ray　photoelectron　spectroscopy　(XPS),　Raman　spectroscopy　(Raman),　and　Ultraviolet-visible-near　infrared　(UV-VIS-NIR)　spectrophoto　meter.　The　as-deposited　films　are　mainly　polycrystalline　SnS　with　orthorhombic　crystalline　structure,　and　they　show　good　uniformity　and　surface　coverage　with　root　mean　square　(RMS)　roughness　of　45.36-62.39　nm　and　grain　sizes　of　100-300　nm.　Raman　microscopy　shows　that　the　films　have　bands　at　around　190　and　218　cm(-1)　belonging　to　A(g)　mode　of　SnS.　The　concentration　ratio　of　EDTA　and　Sn2+　(EDTA/Sn2+)　has　some　influence　on　the　structure,　phase,　Raman　shift　and　optical　properties　of　the　deposited　films.　When　the　EDTA/Sn2+　is　less　than　0.5,　the　films　have　a　Raman　shift　at　around　306　cm(-1)　due　to　Sn2S3.　XPS　analysis　also　shows　that　there　exists　a　Sn2S3　phase　in　the　deposited　films.　When　the　EDTA/Sn2+　equals　1/1,　there　is　only　the　SnS　phase　in　the　deposited　films.　With　an　increase　of　the　EDTA/Sn2+　from　0.1　to　1,　the　direct　band　gap　of　the　films　is　decreased　from　1.75　eV　to　1.43　eV.　Therefore　EDTA/Sn2+　=1/1　is　good　for　depositing　SnS　films.　(c)　2008　Elsevier　B.V.　All　rights　reserved.