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人工突触晶体管具有低功耗、高可扩展性以及与生物突触的结构相似性,在人工智能领域展示出巨大的潜力.实现多功能突触晶体管的关键步骤之一是实现突触权重的调控.制备工艺复杂、调控方式繁琐和调节精度低是突触权重调控面临的主要问题.制备了基于茚并二噻吩共苯并噻二唑(IDTBT)的有机突触晶体管,在绝缘层薄膜溅射完成后,利用激光对绝缘层薄膜进行照射处理.探究了不同激光照射强度对突触权重调控的影响,包括兴奋性突触后电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)和长程增强(LTP),证明了激光照射可以调控绝缘层薄膜中氧空位的数量,从而精确调节突触权重.在不改变器件几何结构和材料的前提下,实现了室温环境下快速、精确的突触晶体管突触权重调控,为未来的神经形态计算硬件设计提供参考.
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半导体技术
ISSN： 1003-353X
CN： 13-1109/TN
Year： 2022
Issue： 12
Volume： 47
Page： 985-990
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