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通过化学气相沉积方法,在云母衬底上制备高质量的Bi_2Se_3纳米片.采用湿法转移技术,将纳米片转移到SiO_2衬底上.用光刻技术制备基于单个Bi_2Se_3纳米片的晶体管,并施加底栅电压,对Bi_2Se_3纳米片晶体管进行有效调控.研究表明:当Bi_2Se_3纳米片与电极之间形成欧姆接触时,底栅的调控效果较好;而当Bi_2Se_3纳米片与电极之间形成肖特基接触时,底栅的调控效果较差.
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福州大学学报(自然科学版)
ISSN： 1000-2243
CN： 35-1337/N
Year： 2020
Issue： 05
Volume： 48
Page： 591-595
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