人工突触晶体管具有低功耗、高可扩展性以及与生物突触的结构相似性，在人工智能领域展示出巨大的潜力。实现多功能突触晶体管的关键步骤之一是实现突触权重的调控。制备工艺复杂、调控方式繁琐和调节精度低是突触权重调控面临的主要问题。制备了基于茚并二噻吩共苯并噻二唑(IDTBT)的有机突触晶体管，在绝缘层薄膜溅射完成后，利用激光对绝缘层薄膜进行照射处理。探究了不同激光照射强度对突触权重调控的影响，包括兴奋性突触后电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)和长程增强(LTP),证明了激光照射可以调控绝缘层薄膜中氧空位的数量，从而精确调节突触权重。在不改变器件几何结构和材料的前提下，实现了室温环境下快速、精确的突触晶体管突触权重调控，为未来的神经形态计算硬件设计提供参考。