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采用化学气相沉积法制备拓扑绝缘体Bi2 Se3纳米线.系统分析生长温度和气体流量对Bi2 Se3纳米线的形貌、晶体质量的影响,并研究Bi2 Se3纳米线的圆偏振光致电流.研究结果表明,Bi2 Se3纳米线的最佳生长温度为530℃,气体流量为30 mL?min-1.通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼等表征手段,表明所生长的Bi2 Se3纳米线具有较高的质量.Bi2 Se3纳米线的光电流随着四分之一波片的变化表明,Bi2 Se3纳米线具有较强的自旋轨道耦合效应.圆偏振光致电流随入射角的增大而减小,这是因为Bi2 Se3的对称性结构为C3V.相比Bi2 Se3薄膜或者Bi2 Se3纳米片,Bi2 Se3纳米线具有更大的CPGE电流,这可能是因为纳米线具有更大的比表面积,可以避免表面态信号淹没在体态信号中.
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福州大学学报（自然科学版）
ISSN： 1000-2243
CN： 35-1337/N
Year： 2023
Issue： 1
Volume： 51
Page： 20-26
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