Abstract：
采用基于光酸反应的光刻工艺，获得均匀的红、绿、蓝三基色量子点薄膜作为发光层，成功制备出高分辨全彩QLED器件（子像素宽度5μm）。通过对光刻量子点表面进行配体钝化，并引入电荷阻挡层以降低非发光区的漏电流，明显提升了全彩QLED的器件性能，所制备器件的最大亮度为23 831 cd/m~2，外量子效率为3.78%。
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光电子技术
ISSN： 1005-488X
CN： 32-1347/TN
Year： 2022
Issue： 03
Volume： 42
Page： 176-180
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