Abstract：
设计一种具有失调电压抑制能力的低功耗带隙基准电路，采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行实现。通过对新型带隙基准结构工作机理进行分析可知，与常规带隙基准电路相比，新型带隙基准结构具有明显的失调电压抑制能力，降低了对误差放大器的性能要求，具有低功耗、低失调电压和结构简单等优点。
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电视技术
ISSN： 1002-8692
CN： 11-2123/TN
Year： 2022
Issue： 04
Volume： 46
Page： 1-6
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