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本发明涉及一种分离三维拓扑绝缘体Bi2Se3的不同线偏振张量引起的线偏振光致电流的方法，首先测量Bi2Se3样品在不同入射角下的线偏振光致电流，接着根据三维拓扑绝缘体Bi2Se3线偏振张量引起的线偏振光致电流随入射角的不同变化关系，将(正入射角的线偏振光致电流‑负入射角的线偏振光致电流)/2得到一个线偏振张量引起的线偏振光致电流，将(正入射角的线偏振光致电流+负入射角的线偏振光致电流)/2得到另一个线偏振张量引起的线偏振光致电流。本发明测量结果准确，十分简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201910468994.2
Filing Date： 2019/5/31
Publication Date： 2020/8/11
Pub. No.： CN110208324B
公开国别： CN
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
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