Indexed by：
Abstract：
本发明涉及一种基于全刮涂技术制备量子点发光二极管的方法，通过在透明导电基底上依次刮涂空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极层制备得到量子点发光二极管，同时改变各功能层溶液浓度和刮涂工艺的不同参数，可以实现对器件质量及性能的调控。本发明采用在支撑基板上放置透明导电基底，通过滴管将各功能层溶液滴在滴液区，并使用机械臂水平推动刮刀将各功能层溶液依次在基底上进行刮涂，并在刮涂的同时进行加热处理。本发明简单易行，较旋涂工艺大大降低了各功能层材料的浪费且适用于大面积制备，能够实现低成本的高效大面积量子点发光二极管的制备，具有良好的产业化前景。
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Patent Info ：
Type： 发明授权
Patent No.： CN201510599623.X
Filing Date： 2015/9/21
Publication Date： 2018/7/17
Pub. No.： CN105140358B
公开国别： CN
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 2
Affiliated Colleges：
