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本发明公开了一种In掺杂硫化锌薄膜及其制备方法和应用，采用化学浴沉积法制备薄膜，属于非真空化学气相沉积，该方法薄膜成份容易控制、制备成本低、适合进行大规模生产。本发明利用掺入杂质的办法来降低硫化锌薄膜的电阻率，测试表明：当在ZnS中掺杂2at.%的In时，薄膜的杂质相少、光学透过率高(可见光区的光学透过率约为85%)、电阻率低(2.6×105Ωcm)。所制得的ZnS薄膜适用于作为太阳电池的缓冲层材料。
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Type： 发明授权
Patent No.： CN201310486713.9
Filing Date： 2013/10/17
Publication Date： 2015/12/2
Pub. No.： CN103531660B
公开国别： CN
Applicants： 福州大学
Legal Status： 授权
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