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[期刊论文]

二硫化铁光电薄膜制备技术的研究进展

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钟南保 (钟南保.) [1] | 程树英 (程树英.) [2] | 郑明学 (郑明学.) [3] | Unfold

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CQVIP

Abstract:

黄铁矿结构的二硫化铁(FeS2)是一种具有合适的禁带宽度(Eg≈0.95 eV)和较高光吸收系数(当λ≤700nm时,α=5×105cm-1)的半导体材料,而且其组成元素在地球上储量丰富、无毒,有很好的环境相容性.因此,FeS2薄膜在光电子以及太阳能电池材料等方面有潜在的应用前景,受到人们的广泛关注.本文从不同制备方法所制备出的二硫化铁薄膜的研究结果,来分析二硫化铁薄膜的研究状况.

Keyword:

二硫化铁薄膜 光电性能 制备方法

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  • [ 1 ] 福州大学电子科学与应用物理系,福建,福州,350002

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Source :

江西科学

ISSN: 1001-3679

Year: 2005

Issue: 5

Volume: 23

Page: 691-694

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30 Days PV: 1

Affiliated Colleges:

Online/Total:148/10375999
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