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首先采用真空热蒸发法在玻璃基片上沉积厚度约为500 nm的铁膜,然后对铁膜在温度为553～673 K的条件下恒温硫化6 h,制备FeS2薄膜.对制备的薄膜进行X射线衍射和显微结构分析,发现:合适的硫化温度为603～653 K,所得薄膜为单一物相的FeS2薄膜,n(S)/n(Fe)值为1.94～1.96,接近理想化学配比,薄膜晶粒大小均匀,表面致密.
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扬州大学学报（自然科学版）
ISSN： 1007-824X
CN： 32-1472/N
Year： 2006
Issue： 2
Volume： 9
Page： 39-42
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