Abstract：
首先用真空热蒸发法在玻璃衬垫上淀积约为200nm厚的硫化亚铁薄膜,然后将其硫化制得二硫化铁(黄铁矿)薄膜.为了研究硫化温度在硫化过程中对制备二硫化铁(黄铜矿)薄膜的影响,分别将厚度相同的FeS薄膜在300℃、400℃、500℃、600℃温度下硫化.对不同硫化温度条件下制备的二硫化铁薄膜做了XRD、扫描电镜分析了薄膜的成分和表面形貌.同时也测量了所制备的二硫化铁薄膜的光吸收系数、电阻率。
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Year： 2004
Page： 645-647
Language： Chinese
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