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通过Ta掺杂改性钨青铜陶瓷(Sr0.5Ba0.5)1.9Ca0.1NaNb5-xTap1.5(x=0-0.30),分析了Ta掺杂量对其烧结性能、微观结构及介电性能的影响。陶瓷的烧结温度随X的增大略有提高。当X〈0.10时,陶瓷的tc和弛豫性变化不大;当x≥0.10时,tm(1kHz)明显降低,从270℃(x=0)降低至231℃(X=0.30)。且tm随频率增加向高温移动,弛豫性明显增强。认为Ta掺杂引起其性能变化是由于Ta-O键与Nb-O键键能的差异,导致陶瓷氧八面体中心离子位移量以及A位离子有序程度的变化所致。
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电子元件与材料
ISSN： 1001-2028
Year： 2009
Issue： 4
Volume： 28
Page： 1-3
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