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康冬茹 (康冬茹.) [1] | 叶芸 (叶芸.) [2] | 汪江胜 (汪江胜.) [3] | 吕珊红 (吕珊红.) [4] | 辛琦 (辛琦.) [5] | 郭太良 (郭太良.) [6]

Indexed by:

CQVIP PKU CSCD

Abstract:

为了减小场发射的屏蔽效应,采用图形化技术对氧化锌(ZnO)纳米枝阵列进行调控,并研究图形化ZnO枝阵列的性能。首先采用光刻法在IT0导电玻璃上制备图形化ZnO种子层,再用电沉积法在图形化种子层上生长ZnO纳米枝阵列。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)研究所制备的图形化ZnO阵列形貌、结构等,并测试其场发射性能。研究结果表明,制备的图形化ZnO纳米枝是圆阵列,直径为330μm左右,纳米ZnO主干平均直径为400-500nm,发现主干上有一些精细的类似锥状的纳米量级微细枝结构,并且具有良好的场发射性能,开启场强为2.15V/μm,场增强因子为16109。该图形化生长ZnO阵列阴极的方法是一种能较好改善材料场发射性能的方法,在场发射应用领域表现出较好的前景。

Keyword:

图形化 场发射 氧化锌纳米枝 电沉积法

Community:

  • [ 1 ] 福州大学物理与信息工程学院,福建福州350002

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Source :

液晶与显示

ISSN: 1007-2780

Year: 2017

Issue: 5

Volume: 32

Page: 367-371

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