Indexed by：
Abstract：
使用2个工作于与绝对温度成正比的漏电流情况下的MOS管,采用2个管的栅源电压差ΔV GS来产生一个与绝对温度成线性关系的正温度系数电压的方法,设计了一种高精度带隙基准电压源。该结构避免了电阻元件的使用,适用于低功耗系统,节省了芯片面积,电路结构简单。基于CSMC 0.18μmCMOS工艺,对电路进行仿真,结果表明在3V电压下,输出基准电压为1.199V;在-55℃~145℃温度范围内,温漂系数是15×10^-6/℃;在低频范围内,全工艺角最坏电源抑制比为-71dB。
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Source ：
山西电子技术
ISSN： 1674-4578
Year： 2019
Issue： 5
Volume： 0
Page： 29-31
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count： -1
30 Days PV： 0
Affiliated Colleges：
