一种新型低温漂带隙基准源的分析与设计 - Details

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林安 (林安.) ^[1] | 胡炜 (胡炜.) ^[2] (Scholars：胡炜) | 池上升 (池上升.) ^[3]

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本文提出一种高电源抑制比、低温漂和版图面积较小的CMOS带隙基准电压源.该基准采用T型结构的核心电路来减小电路中用来产生负温度系数电流的电阻,进而减小电路的版图面积.电路采用SMIC　0.18　μm　CMOS工艺进行设计,设计的电路只采用一阶温度补偿,在Cadence　Spectre环境下仿真结果表明在0-100℃的范围内温漂系数为1.4ppm/℃.

Keyword：

CMOS T型结构低压带隙基准电压源数学建模

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[ 1 ] [林安]福州大学
[ 2 ] [胡炜]福州大学
[ 3 ] [池上升]福州大学

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一种新型低温漂带隙基准源的分析与设计
2014，中国集成电路
一种新型低温漂带隙基准源的分析与设计
2014，中国集成电路

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2017，WIRELESS PERSONAL COMMUNICATIONS
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2009，International Multi-Conference of Engineers and Computer Scientists

Source ：

中国集成电路

ISSN： 1681-5289

CN： 11-5209/TN

Year： 2014

Issue： 5

Volume： 23

Page： 53-57

Cited Count：

WoS CC Cited Count：

30 Days PV： 1

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物理与信息工程学院、微电子学院本学院/部未明确归属的数据

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