• Complex
  • Title
  • Keyword
  • Abstract
  • Scholars
  • Journal
  • ISSN
  • Conference
成果搜索

author:

程亮 (程亮.) [1] | 赵子龙 (赵子龙.) [2] | 侯文彦 (侯文彦.) [3]

Indexed by:

CQVIP

Abstract:

使用2个工作于与绝对温度成正比的漏电流情况下的MOS管,采用2个管的栅源电压差△VGs来产生一个与绝对温度成线性关系的正温度系数电压的方法,设计了一种高精度带隙基准电压源.该结构避免了电阻元件的使用,适用于低功耗系统,节省了芯片面积,电路结构简单.基于CSMC 0.18μmCMOS工艺,对电路进行仿真,结果表明在3V电压下,输出基准电压为1.199V;在-55℃~145℃温度范围内,温漂系数是15×10-6/℃;在低频范围内,全工艺角最坏电源抑制比为-71dB.

Keyword:

互补金属氧化物半导体 带隙基准源 温度系数 电源抑制比

Community:

  • [ 1 ] [程亮]山西经贸职业学院
  • [ 2 ] [赵子龙]福州大学
  • [ 3 ] [侯文彦]中国铁路太原局集团有限公司太原南站,山西太原,030031

Reprint 's Address:

Email:

Show more details

Version:

Related Keywords:

Source :

山西电子技术

ISSN: 1674-4578

CN: 14-1214/TN

Year: 2019

Issue: 5

Page: 29-31,49

Cited Count:

WoS CC Cited Count: 0

SCOPUS Cited Count:

ESI Highly Cited Papers on the List: 0 Unfold All

WanFang Cited Count: -1

Chinese Cited Count:

30 Days PV: 0

Online/Total:532/10223388
Address:FZU Library(No.2 Xuyuan Road, Fuzhou, Fujian, PRC Post Code:350116) Contact Us:0591-22865326
Copyright:FZU Library Technical Support:Beijing Aegean Software Co., Ltd. 闽ICP备05005463号-1