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为了获得高质量的硒酸氢铷 (RHSe)单晶 ,有必要获得晶体在各种因素影响下的生长习性 ,以确定最佳的生长条件。而晶体的生长习性与晶体结构关系最大 ,了解由晶体结构决定的晶体理论形貌将有助于进一步探讨溶剂、杂质、pH值和过饱和度等因素对晶体的生长习性的影响。本文运用周期键链理论对硒酸铷的晶体结构进行分析 ,采用更适合于结构复杂的离子晶体的计算方法 ,计算了硒酸氢铷晶体的主要晶面附加能 ,由此推导出硒酸氢铷 (RHSe)晶体的理论形貌。结果表明 ,{2 0 0 }、{0 0 2 }、{31 0 }、{1 0 1 }、{0 1 1 }、{1 1 0 }和 {1 1 0 }是主要显露面 ,其中 {2...
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人工晶体学报
ISSN: 1000-985X
CN: 11-2637/O7
Year: 2000
Issue: S1
Page: 33
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