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陈建中 (陈建中.) [1] (Scholars:陈建中) | 庄乃锋 (庄乃锋.) [2] (Scholars:庄乃锋) | 林树坤 (林树坤.) [3] (Scholars:林树坤) | 郭飞云 (郭飞云.) [4] (Scholars:郭飞云) | 胡晓琳 (胡晓琳.) [5] (Scholars:胡晓琳)

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PKU CSCD

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为了获得高质量的硒酸氢铷 (RHSe)单晶 ,有必要获得晶体在各种因素影响下的生长习性 ,以确定最佳的生长条件。而晶体的生长习性与晶体结构关系最大 ,了解由晶体结构决定的晶体理论形貌将有助于进一步探讨溶剂、杂质、pH值和过饱和度等因素对晶体的生长习性的影响。本文运用周期键链理论对硒酸铷的晶体结构进行分析 ,采用更适合于结构复杂的离子晶体的计算方法 ,计算了硒酸氢铷晶体的主要晶面附加能 ,由此推导出硒酸氢铷 (RHSe)晶体的理论形貌。结果表明 ,{2 0 0 }、{0 0 2 }、{31 0 }、{1 0 1 }、{0 1 1 }、{1 1 0 }和 {1 1 0 }是主要显露面 ,其中 {2...

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形貌分析 晶体结构 生长习性 硒酸氢铷晶体

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  • [ 1 ] 福州大学化学系 福州350002

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人工晶体学报

ISSN: 1000-985X

CN: 11-2637/O7

Year: 2000

Issue: S1

Page: 33

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