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采用低温(21 K-300K)稳态表面光伏实验方法,对腐蚀前后的半绝缘砷化镓(Si-GaAs)样品进行了大量的实验测量,发现其表面光伏谱可分为三个区域,并对三个区域的成因进行了合理的物理分析.
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江西科学
ISSN： 1001-3679
CN： 36-1093/N
Year： 2005
Issue： 5
Volume： 23
Page： 548-551
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