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学者姓名:吴新坤

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计算机网络技术在信息工程中的综合应用
期刊论文 | 2018 , 36 (12) , 41-42 | 数字技术与应用
Abstract&Keyword Cite Version(2)

Abstract :

信息工程被广泛地应用在社会的各个方面,实现信息的快速传递和资源共享.本文探讨了网络技术在信息工程中的主要应用途径,其中包括信息安全、设备开发、资源共享等方面.

Keyword :

信息工程 信息工程 应用途径 应用途径 计算机网络技术 计算机网络技术

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GB/T 7714 杨炳蔚 , 吴新坤 . 计算机网络技术在信息工程中的综合应用 [J]. | 数字技术与应用 , 2018 , 36 (12) : 41-42 .
MLA 杨炳蔚 等. "计算机网络技术在信息工程中的综合应用" . | 数字技术与应用 36 . 12 (2018) : 41-42 .
APA 杨炳蔚 , 吴新坤 . 计算机网络技术在信息工程中的综合应用 . | 数字技术与应用 , 2018 , 36 (12) , 41-42 .
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计算机网络技术在信息工程中的综合应用
期刊论文 | 2018 , 36 (12) , 41-42 | 数字技术与应用
计算机网络技术在信息工程中的综合应用 CQVIP
期刊论文 | 2018 , 36 (12) , 41-42 | 数字技术与应用
基于STC12C控制及Android终端的智能存取设备
期刊论文 | 2014 , 33 (17) , 107-109 | 微型机与应用
Abstract&Keyword Cite Version(2)

Abstract :

设计了一种便携式智能存取设备.它包括以STC12C单片机为控制中心的下位机和Android终端.其中Android终端实现数据检索、借物系统、语音识别搜索等;下位机实现规格检测和位置提示.Android终端与下位机之间通过蓝牙进行数据交互.经过测试,该设备使用便捷,查找效率高.

Keyword :

Android Android STC12C单片机 STC12C单片机 存取设备 存取设备 蓝牙 蓝牙

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GB/T 7714 张如意 , 刘南辉 , 吴新坤 . 基于STC12C控制及Android终端的智能存取设备 [J]. | 微型机与应用 , 2014 , 33 (17) : 107-109 .
MLA 张如意 等. "基于STC12C控制及Android终端的智能存取设备" . | 微型机与应用 33 . 17 (2014) : 107-109 .
APA 张如意 , 刘南辉 , 吴新坤 . 基于STC12C控制及Android终端的智能存取设备 . | 微型机与应用 , 2014 , 33 (17) , 107-109 .
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基于STC 12C控制及Android终端的智能存取设备 CQVIP
期刊论文 | 2014 , 33 (17) , 107-109 | 微型机与应用
基于STC 12C控制及Android终端的智能存取设备
期刊论文 | 2014 , 33 (17) , 107-109 | 微型机与应用
Photoelectric properties of Cu2ZnSnS4 thin films deposited by thermal evaporation EI CSCD
期刊论文 | 2012 , 33 (2) | Journal of Semiconductors
Abstract&Keyword Cite Version(1)

Abstract :

Sn/Cu/ZnS precursor were deposited by evaporation on soda lime glass at room temperature, and then polycrystalline thin films of Cu 2ZnSnS4 (CZTS) were produced by sulfurizing the precursors in a sulfur atmosphere at a temperature of 550 °C for 3 h Fabricated CZTS thin films were characterized by X-ray diffraction, energy dispersive X-ray spectroscopy, ultraviolet-visible-near infrared spectrophotometry, the Hall effect system, and 3D optical microscopy. The experimental results show that, when the ratios of [Cu]/([Zn] + [Sn]) and [Zn]/[Sn] in the CZTS are 0.83 and 1.15, the CZTS thin films possess an absorption coefficient of larger than 4.0 × 104 cm-1 in the energy range 1.5-3.5 eV, and a direct band gap of about 1.47 eV. The carrier concentration, resistivity and mobility of the CZTS film are 6.98 × 1016 cm-3, 6.96 Ωcm, and 12.9 cm2/(Vs), respectively and the conduction type is p-type. Therefore, the CZTS thin films are suitable for absorption layers of solar cells. © 2012 Chinese Institute of Electronics.

Keyword :

Electric properties Electric properties Evaporation Evaporation Near infrared spectroscopy Near infrared spectroscopy Optical microscopy Optical microscopy Optical properties Optical properties Phase transitions Phase transitions Thermal evaporation Thermal evaporation Thin films Thin films Tin Tin X ray diffraction X ray diffraction X ray spectroscopy X ray spectroscopy Zinc Zinc

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GB/T 7714 Wu, Xinkun , Liu, Wei , Cheng, Shuying et al. Photoelectric properties of Cu2ZnSnS4 thin films deposited by thermal evaporation [J]. | Journal of Semiconductors , 2012 , 33 (2) .
MLA Wu, Xinkun et al. "Photoelectric properties of Cu2ZnSnS4 thin films deposited by thermal evaporation" . | Journal of Semiconductors 33 . 2 (2012) .
APA Wu, Xinkun , Liu, Wei , Cheng, Shuying , Lai, Yunfeng , Jia, Hongjie . Photoelectric properties of Cu2ZnSnS4 thin films deposited by thermal evaporation . | Journal of Semiconductors , 2012 , 33 (2) .
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Photoelectric properties of Cu 2ZnSnS 4 thin films deposited by thermal evaporation Scopus CSCD
期刊论文 | 2012 , 33 (2) | Journal of Semiconductors
硫化时间对FeS2薄膜结构和性能的影响 CSCD PKU
期刊论文 | 2008 , 36 (3) , 374-377 | 福州大学学报(自然科学版)
Abstract&Keyword Cite Version(2)

Abstract :

在硫化温度为653 K和硫化时间分别在3、6和12h的条件下,用硫化铁膜法制备FcS2薄膜.通过对不同条件下制备的薄膜成分、结构和光电性能研究表明:当硫化时间大于6 h时,薄膜的成分接近理想化学配比,直接光学能带间隙大约为1.15~1.17 eV,电阻率约为1.3 Ω·cm.

Keyword :

FeS2薄膜 FeS2薄膜 制备 制备 硫化时间 硫化时间

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GB/T 7714 吴新坤 , 钟南保 , 程树英 . 硫化时间对FeS2薄膜结构和性能的影响 [J]. | 福州大学学报(自然科学版) , 2008 , 36 (3) : 374-377 .
MLA 吴新坤 et al. "硫化时间对FeS2薄膜结构和性能的影响" . | 福州大学学报(自然科学版) 36 . 3 (2008) : 374-377 .
APA 吴新坤 , 钟南保 , 程树英 . 硫化时间对FeS2薄膜结构和性能的影响 . | 福州大学学报(自然科学版) , 2008 , 36 (3) , 374-377 .
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硫化时间对FeS_2薄膜结构和性能的影响 CSCD PKU
期刊论文 | 2008 , (03) , 374-377 | 福州大学学报(自然科学版)
硫化时间对FeS2薄膜结构和性能的影响 CQVIP CSCD PKU
期刊论文 | 2008 , 36 (3) , 374-377 | 福州大学学报:自然科学版
硫化温度对两步法制备FeS2薄膜成分和结构的影响 CSCD
期刊论文 | 2006 , 9 (2) , 39-42 | 扬州大学学报(自然科学版)
Abstract&Keyword Cite Version(3)

Abstract :

首先采用真空热蒸发法在玻璃基片上沉积厚度约为500 nm的铁膜,然后对铁膜在温度为553~673 K的条件下恒温硫化6 h,制备FeS2薄膜.对制备的薄膜进行X射线衍射和显微结构分析,发现:合适的硫化温度为603~653 K,所得薄膜为单一物相的FeS2薄膜,n(S)/n(Fe)值为1.94~1.96,接近理想化学配比,薄膜晶粒大小均匀,表面致密.

Keyword :

二硫化铁薄膜 二硫化铁薄膜 性能 性能 温度 温度 硫化 硫化

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GB/T 7714 吴新坤 , 翁臻臻 , 郑明学 et al. 硫化温度对两步法制备FeS2薄膜成分和结构的影响 [J]. | 扬州大学学报(自然科学版) , 2006 , 9 (2) : 39-42 .
MLA 吴新坤 et al. "硫化温度对两步法制备FeS2薄膜成分和结构的影响" . | 扬州大学学报(自然科学版) 9 . 2 (2006) : 39-42 .
APA 吴新坤 , 翁臻臻 , 郑明学 , 钟南保 , 程树英 . 硫化温度对两步法制备FeS2薄膜成分和结构的影响 . | 扬州大学学报(自然科学版) , 2006 , 9 (2) , 39-42 .
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Version :

硫化温度对两步法制备FeS2薄膜成分和结构的影响 CQVIP CSCD
期刊论文 | 2006 , 9 (2) , 39-42 | 扬州大学学报:自然科学版
硫化温度对两步法制备FeS_2薄膜成分和结构的影响 CSCD
期刊论文 | 2006 , (02) , 39-42 | 扬州大学学报(自然科学版)
硫化温度对两步法制备FeS_2薄膜成分和结构的影响 CSCD
期刊论文 | 2006 , (02) , 39-42 | 扬州大学学报(自然科学版)
FeS2薄膜成分与Fe膜硫化温度的关系 CSCD PKU
期刊论文 | 2006 , 34 (1) , 60-63 | 福州大学学报(自然科学版)
Abstract&Keyword Cite Version(3)

Abstract :

采用真空热蒸发法在玻璃基片上沉积厚度约为500nm的铁膜,然后对铁膜在温度为553~673 K的条件下恒温硫化6 h,以制备二硫化铁薄膜.通过对所制备的薄膜进行结构和成分分析发现,当硫化温度为603~653K时,Fe膜硫化完全,所得薄膜为单一物相的FeS2薄膜,薄膜晶粒大小均匀,表面致密,S/Fe值为1.94~1.96,接近理想化学配比.

Keyword :

二硫化铁薄膜 二硫化铁薄膜 成分 成分 温度 温度 硫化 硫化

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GB/T 7714 吴新坤 , 翁臻臻 , 郑明学 et al. FeS2薄膜成分与Fe膜硫化温度的关系 [J]. | 福州大学学报(自然科学版) , 2006 , 34 (1) : 60-63 .
MLA 吴新坤 et al. "FeS2薄膜成分与Fe膜硫化温度的关系" . | 福州大学学报(自然科学版) 34 . 1 (2006) : 60-63 .
APA 吴新坤 , 翁臻臻 , 郑明学 , 钟南保 , 程树英 . FeS2薄膜成分与Fe膜硫化温度的关系 . | 福州大学学报(自然科学版) , 2006 , 34 (1) , 60-63 .
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FeS2薄膜成分与Fe膜硫化温度的关系 CQVIP CSCD PKU
期刊论文 | 2006 , 34 (1) , 60-63 | 福州大学学报:自然科学版
FeS_2薄膜成分与Fe膜硫化温度的关系 CSCD PKU
期刊论文 | 2006 , (01) , 60-63 | 福州大学学报(自然科学版)
FeS_2薄膜成分与Fe膜硫化温度的关系 CSCD PKU
期刊论文 | 2006 , (01) , 60-63 | 福州大学学报(自然科学版)
新型可印刷FED场致发射显示器的研制 CSCD PKU
期刊论文 | 2004 , 14 (z1) , 404-408 | 中国有色金属学报
Abstract&Keyword Cite Version(2)

Abstract :

介绍了国内外平板显示器,特别是场致发射显示器(FED)的市场预测和主要研究单位以及FED显示器的基本制作工艺流程,包括阴极激活和真空镀膜技术,论述了阴极激活技术及其对提高FED阴极发射能力的作用.采用丝网印刷、真空镀膜和阴极激活技术与低逸出功材料结合增强发射场强的方法研制出能显示视频图像的20英寸(50.8 cm)单色FED显示器样机,其亮度已达300 cd/m2,对比度已达400.并讨论了FED显示器今后可能的发展方向.

Keyword :

丝网印刷 丝网印刷 场致发射显示器 场致发射显示器 电子发射 电子发射 真空镀膜 真空镀膜 阴极激活 阴极激活

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GB/T 7714 郭太良 , 林志贤 , 吴新坤 et al. 新型可印刷FED场致发射显示器的研制 [J]. | 中国有色金属学报 , 2004 , 14 (z1) : 404-408 .
MLA 郭太良 et al. "新型可印刷FED场致发射显示器的研制" . | 中国有色金属学报 14 . z1 (2004) : 404-408 .
APA 郭太良 , 林志贤 , 吴新坤 , 林建光 , 黄振武 , 林燕飞 et al. 新型可印刷FED场致发射显示器的研制 . | 中国有色金属学报 , 2004 , 14 (z1) , 404-408 .
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印刷型FED场致发射显示器的研制
会议论文 | 2004 , 195-197 | 2004中国平板显示学术会议
Abstract&Keyword Cite

Abstract :

采用丝网印刷、真空镀膜和阴极激活技术,我们研制出能显示视频图象的20英寸单色和彩色FED显示器样机,其亮度分别已达300cd/m<''2>和150cd/m<''2>,单色对比度已达400:1.文中详细讨论了阴极激活降低阴极表明逸出功进而增强阴极的电子发射能力的作用.

Keyword :

丝网印刷 丝网印刷 场致发射显示器 场致发射显示器 电子发射 电子发射 阴极激活 阴极激活

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GB/T 7714 郭太良 , 林志贤 , 林建光 et al. 印刷型FED场致发射显示器的研制 [C] //2004中国平板显示学术会议论文集 . 2004 : 195-197 .
MLA 郭太良 et al. "印刷型FED场致发射显示器的研制" 2004中国平板显示学术会议论文集 . (2004) : 195-197 .
APA 郭太良 , 林志贤 , 林建光 , 吴新坤 , 黄振武 , 林金堂 et al. 印刷型FED场致发射显示器的研制 2004中国平板显示学术会议论文集 . (2004) : 195-197 .
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Development of 20-inch printable monochrome field emission display CPCI-S
会议论文 | 2004 , 212-215 | 8th Asian Symposium on Information Display
Abstract&Keyword Cite

Abstract :

20-inch printable Monochrome. field emission display (FED) prototype was developed. The FED panel was fabricated by using thin film sputtering, screen printing, and cathode activation technologies. The cathode of FED prototype was activated with low work function materials. The activation process could effectively lower the work function of the cathode surface and therefore dramatically increased the electron number emitted from the cathode. That is, low work function material could be an important candidate for the cold cathode to develop second generation FEDs. The prototype thus fabricated could show video images and moving pictures. In this paper, the characteristics of the cathode and panel were also described.

Keyword :

activation activation electron emission electron emission FED FED screen-printing screen-printing work function work function

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GB/T 7714 Guo, T. L. , Lin, Z. X. , Wu, X. K. et al. Development of 20-inch printable monochrome field emission display [C] . 2004 : 212-215 .
MLA Guo, T. L. et al. "Development of 20-inch printable monochrome field emission display" . (2004) : 212-215 .
APA Guo, T. L. , Lin, Z. X. , Wu, X. K. , Lin, J. G. , Huang, Z. W. , Lin, Jintang. et al. Development of 20-inch printable monochrome field emission display . (2004) : 212-215 .
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全方向蒸散型吸气装置 incoPat
专利 | 2003/2/14 | CN03115392.5
Abstract&Keyword Cite

Abstract :

本发明提供一种全方向蒸散型吸气剂装置,它包含带有环形凹槽的金属载体(4)及置于其环形凹槽内的蒸散型吸气材料(3),该金属载体(4)通过金属支架(5)固接于真空显示器件的基板(6)上,其特征是该环形凹槽沿径向外侧开口,径向内侧及上下开孔。本装置中载体的开口面不直接朝向上平板(1),蒸散时,吸气材料从朝向上、下平板(1,6)之间间隙的开口面直接蒸出,蒸散面积明显增大。使用本发明装置蒸散出来的吸气材料膜层不会造成局部过厚而分离脱落,且蒸散面积约为常用蒸散型吸气装置同样放置时的蒸散面积的3至20倍。

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GB/T 7714 郭太良 , 吴新坤 . 全方向蒸散型吸气装置 : CN03115392.5[P]. | 2003/2/14 .
MLA 郭太良 et al. "全方向蒸散型吸气装置" : CN03115392.5. | 2003/2/14 .
APA 郭太良 , 吴新坤 . 全方向蒸散型吸气装置 : CN03115392.5. | 2003/2/14 .
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