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利用中频反应磁控溅射在玻璃衬底上沉积了不同溅射功率的AlN薄膜.采用X射线衍射仪、原子力显微镜和电击穿场强测试系统研究了薄膜的结构和电学性能,并对该介质薄膜的导通机制进行了分析.结果表明,所制备的薄膜呈非晶态,5 kw溅射功率下制备的薄膜具有较好的表面结构,并具有较高的耐击穿场强,约为2.1 MV/cm;结合理论分析发现,AlN在不同的场强条件下以某一种导通作为主要的导通机制:低场强区服从欧姆定律,随着场强升高,在不同的阶段分别以肖特基效应,普尔-弗兰凯尔效应和F-N效应为主.
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光电子技术
ISSN： 1005-488X
CN： 32-1347/TN
Year： 2010
Issue： 2
Volume： 30
Page： 122-126
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