Indexed by：
Abstract：
利用中频反应磁控溅射在玻璃衬底上沉积了不同溅射功率的AlN薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜和电击穿场强测试系统研究了薄膜的结构和电学性能,并对该介质薄膜的导通机制进行了分析。结果表明,所制备的薄膜呈非晶态,5kW溅射功率下制备的薄膜具有较好的表面结构,并具有较高的耐击穿场强,约为2.1MV/cm;结合理论分析发现,AlN在不同的场强条件下以某一种导通作为主要的导通机制:低场强区服从欧姆定律,随着场强升高,在不同的阶段分别以肖特基效应,普尔-弗兰凯尔效应和F-N效应为主。
Keyword：
Reprint 's Address：
Email：
Source ：
光电子技术
Year： 2010
Issue： 02
Volume： 30
Page： 122-126
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 0
Affiliated Colleges：
