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通过印刷法、喷涂法和电泳沉积法转移经过处理的碳纳米管（CNT）原料到ITO电极上，高温烧结制备CNT阴极阵列，并对CNT的表面形貌和场发射性能进行测试分析。结果表明，不同转移方法对CNT阴极场发射性能的影响不同，印刷法、喷涂法及电泳沉积法3种方法制备CNT阴极场发射的开启电场分别为2．21、1．62和1．85V／μm；当电场为2．3V／μm时，喷涂法制备的CNT阴极场发射性能最佳，电泳沉积法制备CNT阴极次之，印刷法制备的CNT阴极最差，并根据金属半导体理论分析其原因。
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光电子．激光
ISSN： 1005-0086
CN： 12-1182/O4
Year： 2012
Issue： 2
Volume： 23
Page： 244-247
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